よくわかるパワーMOSFET/IGBT入門発売日：ランキング 52264 位 渋甘 商品レビュー パワーMOSFET,IGBTのデータシートの読み方が親切に解説してある。また、応用技術として、駆動回路説明もあり、解りやすい。これはタイトル通りである。また、ダイオードのリカバリーノイズについても少しだが解説されていた。逆回復特性はノイズに影響する。私はデバイスモデリングを職業でしているので、シミュレーションでも把握できる。ノイズを減らす為にはどのような逆回復特性が必要かの認識が重要である。私は逆回復特性をtrj+trbに分割して、検討している。この書籍でデータシートから何を読み取るかという事を再認識し、また、応用回路で理解を深められた書籍である。 |
MOSFETのモデリングとBSIM3ユーザーズガイド発売日：ランキング 252600 位 渋甘 商品レビュー タイトルからはモデル開発者のための本といった印象をうけますが、サブミクロンTrの振る舞い、例えばなぜVtのロールアップは起こるのか？逆短チャネル効果、逆狭チャネル効果はなぜ起こるのか？と言ったことをわかり易く解説してあり、多少お値段は張りますが特にCMOSアナログ設計者にお勧めです。 |
シリコンFETのモデリング―MOSFETとTFTの効果的なモデル抽出発売日：ランキング 724081 位 渋甘 商品レビュー 半導体デバイスの基本的原理の詳細については、他の書にゆずり、本書は半導体スイッチング素子のモデリングについて多くの理論式を用いてわかりやすく記述されている。回路シミュレータを使用し、素子のモデリングを行う回路技術者の中級指南書としては、最適だと思う。ただし、入門書としては、敷居が高いのでご注意。 |
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